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5G21021024位N沟MOS静态随机存贮器

时间:2016-04-02 00:14 浏览:


该产品适用于仪器仪表、计算机外部设备用作小容量存贮。该产品采用该厂在国内首先开发成功的N沟硅栅E/D及杂质补方法,使制造工艺简化。该电路用单5伏电源工作,功耗150毫瓦,数据取数时间250毫微秒,16条腿双列直插式封装,可与国际上同类型器件直接互换使用,是国内投入过批量生产的少数MOS存贮器产品之一。